| 产品参数 | DFB外延片 | 大功率DFB外延片 | 硅光外延片 |
|---|---|---|---|
| 速率 | 10G/25G/50G | — | — |
| 波长 | 1310nm | 1310nm | 1310nm |
| 尺寸 | 2inch/3inch | 2inch/3inch | 2inch/3inch |
| 产品特色 | CWDM 4/PAM 4 | BH工艺 | PQ /AlQ DFB |
| 产品说明 | 全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。基于InP衬底生长的外延片主要为边发射DFB/EML激光器和硅光外延片，速率超过25Gb/s,波长为1270nm、1310nm、1330nm等，满足100G/400G/800G光模块传输的要求。 | ||
InP基外延片
GaAs基外延片
| 产品参数 | VCSEL外延片 | GaAs PD外延片 |
|---|---|---|
| 速率 | 25G/50G | 10G/25G/50G |
| 波长 | 850nm | — |
| 尺寸 | 4inch/6inch | 3inch/4inch/6inch |
| 产品说明 | 全磊光电数据中心外延片主要基于InP衬底和GaAs衬底外延生长。基于GaAs衬底生长的外延片主要为垂直腔面发射激光器（VCSEL）和GaAs基PD，波长为850nm，调制速率大于50Gb/s，满足数据中心短距离数据传输的需求。 | |
